DMN6040SK3-13 与 IPD350N06L G 区别
| 型号 | DMN6040SK3-13 | IPD350N06L G | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN6040SK3-13 | A-IPD350N06L G | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N CH 60V 20A TO252 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 宽度 | - | 6.22mm | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 35mΩ@29A,10V | ||||||||
| 上升时间 | - | 21ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 42W(Tc) | 68W | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 10nC | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 40mΩ@20A,10V | - | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1287 pF @ 25 V | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 10V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 29ns | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 22.4 nC @ 10 V | - | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252-3 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) | 29A | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 系列 | - | OptiMOS2 | ||||||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 长度 | - | 6.5mm | ||||||||
| 下降时间 | - | 20ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 6ns | ||||||||
| 高度 | - | 2.3mm | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 7,500 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMN6040SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 20A(Tc) |
￥1.606
|
7,500 | 当前型号 | ||||||||||
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STD20NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 50,000 | 对比 | ||||||||||
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RD3L150SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 60V 15A 40mΩ@15A,10V ±20V 20W -55°C~150°C 车规 |
￥7.6851
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487 | 对比 | ||||||||||
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STD20NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥3.498
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21 | 对比 | ||||||||||
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STD20NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPD350N06L G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 29A 35mΩ@29A,10V 10V 68W N-Channel -55°C~175°C TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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